半导体材料研究专家朱勤生，值得敬佩的一生
发布时间：2014-04-27 15:39:50
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回家
回国期间，主要从事半导体低维结构的深能级研究以及GaAs/AlGaAs多量子阱的红外吸收物理特性的研究。首次观察到在该结构中有电子的等离子体振荡信号，并提出利用这一振荡制作红外光垂直入射光吸收器件以用于民用摄像仪的探测系统。现在正从事GaN材料及其低维结构的物理特性研究。在研究III族氮化物的体材料中，主要在理论上和实验上研究了点缺陷对载流子散射以及GaN膜的深能级特性以及光学特性。在低维结构中，主要研究了1)线缺陷对两维电子气的散射； 2)用低温钝化法制作的InGaN量子点的结构、光学和电学特性。现在正在进行的工作是：InGaN/GaN和 GaN/AlGaN多量子阱的红外吸收特性的研究。自从从事半导体材料的物理特性的研究以来，共发表论文30余篇，其中10篇发表在国际一流刊物上。
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